参数名
参数值
参数名
参数值
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
底架
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-247 [B]
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Id - Continuous Drain Current
20 A
Rds On - Drain-Source Resistance
430 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V
Qg - Gate Charge
85 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
403 W
Channel Mode
Enhancement
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.211644 oz
Continuous Drain Current Id
20
Package
Tube
Base Product Number
APT8043
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A (Tc)
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
800 V
Turn Off Delay Time
25 ns
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
APT8043BLLG
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.21
Drain Current-Max (ID)
20 A
包装
Tube
系列
POWER MOS 7®
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.04 kW
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
额定电流
20 A
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
Single
通道数量
1 Channel
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
403
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
430mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2500 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
85 nC @ 10 V
上升时间
5 ns
漏源电压 (Vdss)
800 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
20 A
JEDEC-95代码
TO-247
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
漏极-源极导通最大电阻
0.43 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
输入电容
8.5 nF
DS 击穿电压-最小值
800 V
信道型
N通道
雪崩能量等级(Eas)
1300 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
403 W
场效应管特性
-
最大rds
380 mΩ
反馈上限-最大值 (Crss)
80 pF
辐射硬化
无
无铅
无铅