Microchip Technology APT8065SVRG

包装/外壳

D3PAK-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

D3 [S]

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800 V

Id - Continuous Drain Current

13 A

Rds On - Drain-Source Resistance

650 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Qg - Gate Charge

225 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

280 W

Channel Mode

Enhancement

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.218699 oz

Package

Tube

Base Product Number

APT8065

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT8065SVRG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.29

Drain Current-Max (ID)

13 A

包装

Tube

系列

POWER MOS V®

JESD-609代码

e3

端子表面处理

纯哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3700 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

225 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

800 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.65 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

1210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-