Microchip Technology APT84F50L

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-264-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-264 [L]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

84 A

Rds On - Drain-Source Resistance

55 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Qg - Gate Charge

340 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

1.135 kW

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

50 ns

Forward Transconductance - Min

65 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

155 ns

Typical Turn-On Delay Time

60 ns

Unit Weight

0.352740 oz

Package

Tube

Base Product Number

APT84F50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

84A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1135W (Tc)

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

155 ns

Package Description

TO-264, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT84F50L

Turn-on Time-Max (ton)

60 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Drain Current-Max (ID)

84 A

Part Package Code

TO-264AA

Risk Rank

1.52

Turn-off Time-Max (toff)

155 ns

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

纯哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.135 kW

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.135 kW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

340 nC @ 10 V

上升时间

70 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

84 A

JEDEC-95代码

TO-264AA

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

84 A

漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω

漏源击穿电压

500 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

270 A

输入电容

13.5 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1845 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1135 W

最大结点温度（Tj）

150 °C

场效应管特性

-

漏源电阻

55 mΩ

最大rds

65 mΩ

反馈上限-最大值 (Crss)

185 pF

环境耗散-最大值

1135 W

高度

29.18 mm

辐射硬化

无