Microchip Technology DN2450N8-G
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DN2450N8-G
1610-DN2450N8-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

3 SOT-89T/RMOSFET,DEPLETION-MODE,500V,10 Ohm
--最小包装量--
DN2450N8-G详情
Microchip Technology DN2450N8-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
质量
52.786812mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
230mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低阈值
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
功率耗散
1.6W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 300mA, 0V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
230mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
0.9A
场效应管特性
耗尽模式
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DN2450N8-G拓展信息
Microchip Technology
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