Microchip Technology DN2535N3-G-P013

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

O-PBCY-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25 Ω @ 120mA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

120mA

漏源击穿电压

350V

场效应管特性

耗尽模式

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant