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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.303605
10
¥6.890195
100
¥6.500179
500
¥6.132246
1000
¥5.785138
Microchip Technology DN2540N3-G-P003
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- 对比
DN2540N3-G-P003
1610-DN2540N3-G-P003
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
大陆
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MOSFET,DEPLETION-MODE,400V,25 Ohm3 TO-92T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DN2540N3-G-P003详情
Microchip Technology DN2540N3-G-P003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
5 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
JESD-30代码
O-PBCY-T3
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25 Ω @ 120mA, 0V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
300pF @ 25V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
120mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管特性
耗尽模式
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
5.33mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DN2540N3-G-P003拓展信息
Microchip Technology
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