Microchip Technology DN3765K4-G

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

75 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 150mA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

825pF @ 25V

上升时间

75ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

300mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.5A

场效应管特性

耗尽模式

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅