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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.783477
10
¥13.003278
100
¥12.267241
500
¥11.572871
1000
¥10.917802
Microchip Technology LND250K1-G
- 收藏
- 对比
LND250K1-G
1610-LND250K1-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET 500V 1KOhm
--最小包装量--
¥
总价: ¥
LND250K1-G详情
Microchip Technology LND250K1-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
高输入阻抗
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
360mW
接通延迟时间
90 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1000 Ω @ 500μA, 0V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10pF @ 25V
上升时间
450ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
450 ns
连续放电电流(ID)
13mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
500V
场效应管特性
耗尽模式
高度
950μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
LND250K1-G拓展信息
Microchip Technology
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