LP0701LG-G
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Microchip Technology LP0701LG-G

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型号

LP0701LG-G

utmel 编号

1610-LP0701LG-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-16.5V,1.5 Ohm8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R

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LP0701LG-G
LP0701LG-G Microchip Technology MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-16.5V,1.5 Ohm8 SOIC 3.90mm(.150in) T/R

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LP0701LG-G详情

Microchip Technology LP0701LG-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 质量

    84.99187mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    700mA Tj

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2V 5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.5W Tc

  • Turn Off Delay Time

    30 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    低阈值

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.5W

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.5 Ω @ 300mA, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 1.1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    250pF @ 15V

  • 上升时间

    20ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    16.5V

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 下降时间(典型值)

    20 ns

  • 连续放电电流(ID)

    700mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.7A

  • 漏源击穿电压

    -16.5V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    60 pF

  • 高度

    1.65mm

  • 长度

    4.9mm

  • 宽度

    3.9mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Microchip Technology LP0701LG-G.

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右边的3个型号有着和Microchip Technology & LP0701LG-G相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Continuous Drain Current (ID)
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    Power Dissipation
    查看对比:
  • LP0701LG-G

    LP0701LG-G

    Surface Mount

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    16.5V

    700mA (Tj)

    700 mA

    10 V

    1.5W (Tc)

    1.5 W

  • FDS9926A

    Surface Mount

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    20V

    10A (Ta)

    -14 A

    8 V

    1.5W (Ta)

    1.5 W

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