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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥79.748101
10
¥75.234059
100
¥70.975523
500
¥66.95804
1000
¥63.167966
Microchip Technology TC8020K6-G-M937
- 收藏
- 对比
TC8020K6-G-M937
1610-TC8020K6-G-M937
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
56-VFQFN Exposed Pad
大陆
立即发货

Trans MOSFET N/P-CH 200V 56-Pin QFN EP T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TC8020K6-G-M937详情
Microchip Technology TC8020K6-G-M937重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
56-VFQFN Exposed Pad
质量
191.387631mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
6
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
56
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
配置
COMPLEX
通道数量
12
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
6 N and 6 P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8 Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
200V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
漏极-源极导通最大电阻
8Ohm
DS 击穿电压-最小值
200V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
TC8020K6-G-M937拓展信息
Microchip Technology
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Microchip
Microchip
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