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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥74.084822
10
¥69.891339
100
¥65.935225
500
¥62.203046
1000
¥58.682117
Microchip Technology TC1550TG-G
- 收藏
- 对比
TC1550TG-G
1610-TC1550TG-G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET 500V N&P 60/125 Ohm
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TC1550TG-G详情
Microchip Technology TC1550TG-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
84.99187mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
快速开关
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
资历状况
不合格
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
Rds On(Max)@Id,Vgs
60 Ω @ 50mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
55pF @ 25V
上升时间
10ns
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
16A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
350A
漏源击穿电压
500V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
高度
1.75mm
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
TC1550TG-G拓展信息
Microchip Technology
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Microchip
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