Microchip Technology TC6321T-V/9U

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

参考标准

TS 16949

JESD-30代码

R-PDSO-N8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7 Ω @ 1A, 10V, 8 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

110pF @ 25V 200pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

200V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

7Ohm

DS 击穿电压-最小值

200V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant