Microchip Technology TN2640K4-G

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 25V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

2A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

漏源击穿电压

400V

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant