Microchip Technology TN5325N3-G-P002

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

质量

453.59237mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

215mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

740mW Ta

Turn Off Delay Time

25 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

O-PBCY-T3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7 Ω @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

110pF @ 25V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

215mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

7Ohm

漏源击穿电压

250V

反馈上限-最大值 (Crss)

23 pF

高度

5.33mm

长度

5.21mm

宽度

4.19mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant