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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.495282
10
¥12.731398
100
¥12.010749
500
¥11.330897
1000
¥10.689526
Microchip Technology TP2540N3-G-P002
- 收藏
- 对比
TP2540N3-G-P002
1610-TP2540N3-G-P002
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
大陆
立即发货

Trans MOSFET P-CH 400V 0.086A 3-Pin TO-92 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TP2540N3-G-P002详情
Microchip Technology TP2540N3-G-P002重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
5 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
86mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
740mW Ta
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
740mW
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
25 Ω @ 100mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
125pF @ 25V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
86mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.086A
DS 击穿电压-最小值
400V
反馈上限-最大值 (Crss)
25 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
TP2540N3-G-P002拓展信息
Microchip Technology
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