Microchip Technology VN1206L-G-P002

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Tc

Turn Off Delay Time

18 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

230mA Tj

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

O-PBCY-T3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

125pF @ 25V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

230mA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.23A

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

漏源击穿电压

120V

反馈上限-最大值 (Crss)

20 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant