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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.513489
10
¥8.974986
100
¥8.46697
500
¥7.987709
1000
¥7.535574
Microchip Technology VN2450N8-G
- 收藏
- 对比
VN2450N8-G
1610-VN2450N8-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

Mosfet; N-channel Enhancement-mode; 500V; 13 OHM3 SOT-89T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
VN2450N8-G详情
Microchip Technology VN2450N8-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
质量
52.786812mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
250mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
快速切换
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
资历状况
不合格
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13 Ω @ 400mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 25V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
250mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.25A
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
0.75A
高度
1.6mm
长度
4.6mm
宽度
2.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
VN2450N8-G拓展信息
Microchip Technology
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