Microsemi Corporation MDS70
- 收藏
- 对比
MDS70
1619-MDS70
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55CX
大陆
立即发货

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX
1最小包装量--
MDS70详情
Microsemi Corporation MDS70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55CX
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
225W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
配置
SINGLE
箱体转运
BASE
功率 - 最大
225W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 500mA 5V
增益
10.3dB ~ 11.65dB
频率转换
1.03GHz~1.09GHz
发射极基极电压 (VEBO)
3.5V
最高频段
L B
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
MDS70拓展信息

















哦! 它是空的。