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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 PDTD123TT
PDTD123TT
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Nexperia PDTD123TT

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型号

PDTD123TT

品牌

Nexperia

utmel 编号

1729-PDTD123TT

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

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PDTD123TT
PDTD123TT Nexperia Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

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PDTD123TT详情

技术参数

Nexperia PDTD123TT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    300 mV

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • hFEMin

    100

  • RoHS

    Compliant

  • 终端

    SMD/SMT

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    250 mW

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    250 mW

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最大集电极电流

    500 mA

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

  • 宽度

    1.4 mm

  • 高度

    1 mm

  • 长度

    3 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

PDTD123TT拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

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