PSMN2R0-100SSFJ
PSMN2R0-100SSFJ

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Nexperia PSMN2R0-100SSFJ

  • 收藏
  • 对比

型号

PSMN2R0-100SSFJ

品牌

Nexperia

utmel 编号

1729-PSMN2R0-100SSFJ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-1235

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PSMN2R0-100SSFJ
PSMN2R0-100SSFJ Nexperia NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PSMN2R0-100SSFJ详情

Nexperia PSMN2R0-100SSFJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-1235

  • 供应商器件包装

    LFPAK88 (SOT1235)

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Base Product Number

    PSMN2R0

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    267A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    7V, 10V

  • 厂商

    Nexperia USA Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    341W (Ta)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.07mOhm @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    16140 pF @ 50 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    242 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

PSMN2R0-100SSFJ拓展信息

BUK98150-55A/CUF
BUK98150-55A/CUF

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKW,115
NX3008NBKW,115

Nexperia USA Inc.

BSH205G2R
BSH205G2R

Nexperia USA Inc.

PMV40UN2R
PMV40UN2R

Nexperia USA Inc.

PMV65XP,215
PMV65XP,215

Nexperia USA Inc.

PSMN075-100MSEX
PSMN075-100MSEX

Nexperia USA Inc.

BSN20BKR
BSN20BKR

Nexperia USA Inc.

PMV30UN2R
PMV30UN2R

Nexperia USA Inc.

PMV250EPEAR
PMV250EPEAR

Nexperia USA Inc.

NX3020NAKW,115
NX3020NAKW,115

Nexperia USA Inc.

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z