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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.289506
10
¥0.273119
100
¥0.257659
500
¥0.243075
1000
¥0.229315
Nexperia USA Inc. 2N7002PW,115
- 收藏
- 对比
2N7002PW,115
1729-2N7002PW,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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MOSFET Operating temperature: -55... 150 °C Housing type: SOT-323 Polarity: N Power dissipation: 310 mW
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N7002PW,115详情
Nexperia USA Inc. 2N7002PW,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
310mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
260mW Ta
Turn Off Delay Time
10 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.4V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
1.6Ohm
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
310mW
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 500mA, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.8nC @ 4.5V
上升时间
4ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
310mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏源击穿电压
60V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N7002PW,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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