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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.895795
10
¥0.84509
100
¥0.797254
500
¥0.752126
1000
¥0.709553
Nexperia USA Inc. BCM856BSH
- 收藏
- 对比
BCM856BSH
1729-BCM856BSH
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCM856BSH详情
Nexperia USA Inc. BCM856BSH重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200mV
Number of Elements
2
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
200mW
终端形式
鸥翼
基本部件号
BCM856
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率 - 最大
300mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
175MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual) Matched Pair
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 100mA
转换频率
175MHz
最大击穿电压
65V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BCM856BSH拓展信息
Nexperia USA Inc.
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