Nexperia USA Inc. BCV63,215

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-253-4, TO-253AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

6V

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

250mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BCV63

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

250mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

110 @ 2mA 5V / 110 @ 2mA 700mV

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA / 250mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V 6V

转换频率

100MHz

最大击穿电压

6V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

VCEsat-最大值

0.65 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅