Nexperia USA Inc. BSP110,115

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

520mA Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

6.25W Tc

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

10Ohm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

6.25W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10 Ω @ 150mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40pF @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

520mA

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏源击穿电压

100V

反馈上限-最大值 (Crss)

6 pF

高度

1.7mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅