Nexperia USA Inc. BSP250,115

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.65W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

-2.8mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

RoHS状态

ROHS3 Compliant