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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.610406
10
¥0.575855
100
¥0.54326
500
¥0.512509
1000
¥0.483499
Nexperia USA Inc. BSS138BKS,115
- 收藏
- 对比
BSS138BKS,115
1729-BSS138BKS,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSS138BKS,115详情
Nexperia USA Inc. BSS138BKS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
320mA
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2002
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
445mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 320mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
56pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.32A
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSS138BKS,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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