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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.545702
10
¥1.45821
100
¥1.37567
500
¥1.297801
1000
¥1.224341
Nexperia USA Inc. NX3020NAKS,115
- 收藏
- 对比
NX3020NAKS,115
1729-NX3020NAKS,115
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NX3020NAKS,115详情
Nexperia USA Inc. NX3020NAKS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
375mW
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
375mW
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5 Ω @ 100mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
13pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.44nC @ 4.5V
上升时间
5ns
下降时间(典型值)
17 ns
连续放电电流(ID)
180mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.18A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NX3020NAKS,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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