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1

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10

￥1.125248
100

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500

￥1.001467
1000

￥0.94478

Nexperia USA Inc. PMGD780SN,115

Name: PMGD780SN,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-PMGD780SN,115
Price: 1.19 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PMGD780SN,115

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-PMGD780SN,115

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V

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PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc. NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V

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Nexperia USA Inc. PMGD780SN,115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装

YES
引脚数

6
晶体管元件材料

SILICON
Number of Elements

2
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

TrenchMOS™
已出版

2010
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
HTS代码

8541.29.00.75
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
引脚数量

6
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
功率耗散

410mW
功率 - 最大

410mW
场效应管类型

2 N-Channel (Dual)
晶体管应用

SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs

920m Ω @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.05nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

60V
连续放电电流(ID)

490mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.49A
漏极-源极导通最大电阻

0.92Ohm
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性

逻辑电平门
达到SVHC

无SVHC
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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PMGD780SN,115拓展信息

热销零件