Nexperia USA Inc. BSS192,135

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

560mW Ta 12.5W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

终端形式

FLAT

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

90pF @ 25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-240V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

240V

反馈上限-最大值 (Crss)

15 pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant