Nexperia USA Inc. BUK6207-55C,118
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BUK6207-55C,118
1729-BUK6207-55C,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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NEXPERIA - BUK6207-55C,118 - MOSFET,N CH,55V,90A,SOT428
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BUK6207-55C,118详情
Nexperia USA Inc. BUK6207-55C,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
158W Tc
Turn Off Delay Time
165 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
附加功能
逻辑电平兼容
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
128W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.8m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5160pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
82nC @ 10V
上升时间
44ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
78 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
55V
漏源击穿电压
55V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BUK6207-55C,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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