Nexperia USA Inc. BUK6C3R3-75C,118

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

表面安装

YES

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

181A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

384 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4m Ω @ 90A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

253nC @ 10V

上升时间

217ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

165 ns

连续放电电流(ID)

181A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

75V

漏极-源极导通最大电阻

0.0051Ohm

漏源击穿电压

75V

雪崩能量等级（Eas）

560 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准