Nexperia USA Inc. BUK7535-100A,127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

41A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

149W Tc

Turn Off Delay Time

56 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

149W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2535pF @ 25V

上升时间

67ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

41A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

165A

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准