Nexperia USA Inc. BUK755R4-100E,127

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

349W Tc

Turn Off Delay Time

158 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

37 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.2m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11810pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180nC @ 10V

上升时间

62ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

120A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

0.0052Ohm

RoHS状态

符合RoHS标准