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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.441522
10
¥15.510868
100
¥14.632895
500
¥13.804621
1000
¥13.023225
Nexperia USA Inc. BUK7613-60E,118
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- 对比
BUK7613-60E,118
1729-BUK7613-60E,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK7613-60E,118详情
Nexperia USA Inc. BUK7613-60E,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
58A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
96W Tc
Turn Off Delay Time
21.9 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
10.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13m Ω @ 15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1730pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.9nC @ 10V
上升时间
9.2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9.8 ns
连续放电电流(ID)
58A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏源击穿电压
60V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK7613-60E,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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