Nexperia USA Inc. BUK7618-55,118

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

57A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

18m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 25V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

57A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.018Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

228A

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant