Nexperia USA Inc. BUK7626-100B,118

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

157W Tc

Turn Off Delay Time

47 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

157W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2891pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

49A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

197A

雪崩能量等级（Eas）

144 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant