Nexperia USA Inc. BUK763R4-30,118

包装/外壳

SOT

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

255W Tc

Turn Off Delay Time

89 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

255W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

32 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4951pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 10V

上升时间

64ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

71 ns

连续放电电流(ID)

198A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

794A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant