Nexperia USA Inc. BUK764R0-40E,118

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Turn Off Delay Time

43 ns

Power Dissipation (Max)

182W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

已出版

2016

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

182W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4405pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

620A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant