Nexperia USA Inc. BUK7C06-40AITE,118
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BUK7C06-40AITE,118
1729-BUK7C06-40AITE,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
1最小包装量--
BUK7C06-40AITE,118详情
Nexperia USA Inc. BUK7C06-40AITE,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
表面安装
YES
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
155 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Tc
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
272W Tc
已出版
2008
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G6
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
272W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 50A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
120nC @ 10V
上升时间
115ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
110 ns
连续放电电流(ID)
155A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
漏极-源极导通最大电阻
0.006Ohm
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
620A
场效应管特性
电流感应
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
BUK7C06-40AITE,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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