Nexperia USA Inc. BUK7C10-75AITE,118

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

272W Tc

Turn Off Delay Time

185 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

操作温度

-55°C~175°C TJ

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

272W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

121nC @ 10V

上升时间

108ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

100 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

75V

漏源击穿电压

75V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

456A

场效应管特性

电流感应

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准