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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.881928
10
¥7.435778
100
¥7.01489
500
¥6.61782
1000
¥6.243222
Nexperia USA Inc. BUK7M19-60EX
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- 对比
BUK7M19-60EX
1729-BUK7M19-60EX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-1210, 8-LFPAK33
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BUK7M19-60E - N-channel 60 V, 19 mO standard level MOSFET in LFPAK33
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¥
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BUK7M19-60EX详情
Nexperia USA Inc. BUK7M19-60EX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1210, 8-LFPAK33
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
35.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
55W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 10A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1055pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.3nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
35.8A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
36A
漏极-源极导通最大电阻
0.019Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
143A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
21.1 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK7M19-60EX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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