Nexperia USA Inc. BUK7Y8R7-60EX

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

87A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

147W Tc

Turn Off Delay Time

31 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

147W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.7m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3159pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

19 ns

连续放电电流(ID)

87A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0087Ohm

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

76.2 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant