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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.04383
10
¥4.758331
100
¥4.488992
500
¥4.234897
1000
¥3.995186
Nexperia USA Inc. BUK9230-100B,118
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- 对比
BUK9230-100B,118
1729-BUK9230-100B,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9230-100B,118详情
Nexperia USA Inc. BUK9230-100B,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
47A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
167W Tc
Turn Off Delay Time
96 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 1mA
操作温度
-55°C~185°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE.
HTS代码
8541.29.00.75
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
167W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
28m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3805pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 5V
上升时间
86ns
Vgs(最大值)
±15V
下降时间(典型值)
46 ns
连续放电电流(ID)
47A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大双电源电压
100V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
185A
雪崩能量等级(Eas)
150 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK9230-100B,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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