Nexperia USA Inc. BUK96180-100A,118
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BUK96180-100A,118
1729-BUK96180-100A,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
1最小包装量--
BUK96180-100A,118详情
Nexperia USA Inc. BUK96180-100A,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
16 Weeks
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
54W Tc
Turn Off Delay Time
18 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
54W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
173m Ω @ 5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
619pF @ 25V
上升时间
112ns
Vgs(最大值)
±15V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
11A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.2Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
44A
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK96180-100A,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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