注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥29.349317
10
¥27.688038
100
¥26.120791
500
¥24.642256
1000
¥23.247405
Nexperia USA Inc. BUK9628-100A,118
- 收藏
- 对比
BUK9628-100A,118
1729-BUK9628-100A,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9628-100A,118详情
Nexperia USA Inc. BUK9628-100A,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
触点镀层
Tin
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
166W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
49A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Turn Off Delay Time
250 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
166W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
27m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4293pF @ 25V
上升时间
58ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
106 ns
连续放电电流(ID)
49A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.028Ohm
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9628-100A,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.








哦! 它是空的。