Nexperia USA Inc. BUK962R8-30B,118

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

触点镀层

Tin

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Turn Off Delay Time

260 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

71 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10185pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

89nC @ 5V

上升时间

222ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

195 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大双电源电压

30V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

950A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准