Nexperia USA Inc. BUK9Y11-30B,115

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

SC-100, SOT-669

安装类型

表面贴装

引脚数

4

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

59A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Turn Off Delay Time

62 ns

Power Dissipation (Max)

75W Tc

Number of Elements

1

已出版

2007

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

逻辑电平兼容

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1614pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.5nC @ 5V

上升时间

33ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

59A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.012Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

239A

雪崩能量等级（Eas）

112 mJ

长度

6.35mm

高度

6.35mm

宽度

6.35mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant