Nexperia USA Inc. BUK9Y153-100E,115

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Turn Off Delay Time

10 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

37W Tc

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2014

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

146m Ω @ 2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

716pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.8nC @ 5V

上升时间

10.9ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

7.9 ns

连续放电电流(ID)

9.4A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大双电源电压

100V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38A

雪崩能量等级（Eas）

9.5 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant