Nexperia USA Inc. BUK9Y22-100E,115
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BUK9Y22-100E,115
1729-BUK9Y22-100E,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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BUK9Y22-100E - N-channel 100 V, 22 mO logic level MOSFET in LFPAK56
1最小包装量--
BUK9Y22-100E,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9Y22-100E,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
49A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
147W Tc
Turn Off Delay Time
53.4 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
21.5m Ω @ 15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4640pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35.8nC @ 5V
上升时间
32.3ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
31.1 ns
连续放电电流(ID)
49A
JEDEC-95代码
MO-235
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.022Ohm
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
80.8 mJ
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK9Y22-100E,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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