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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.066592
10
¥6.666594
100
¥6.289239
500
¥5.933244
1000
¥5.597403
Nexperia USA Inc. BUK9Y40-55B,115
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- 对比
BUK9Y40-55B,115
1729-BUK9Y40-55B,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUK9Y40-55B,115详情
Nexperia USA Inc. BUK9Y40-55B,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
表面安装
YES
引脚数
4
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
59W Tc
Turn Off Delay Time
35 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
59W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
36m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1020pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 5V
上升时间
93ns
Vgs(最大值)
±15V
下降时间(典型值)
72 ns
连续放电电流(ID)
26A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大双电源电压
55V
漏源击穿电压
55V
雪崩能量等级(Eas)
36 mJ
高度
6.35mm
长度
6.35mm
宽度
6.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUK9Y40-55B,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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